VBZE5N20 دیتاشیت

VBZE5N20

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VBZE5N20
حجم فایل 71.227 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت VBZE5N20

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec VBZE5N20
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 200V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 810mΩ@10V,4A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه